
.vasp培訓
一、VASP基(ji)本原理及計(ji)算準備(基(ji)礎篇)
1.1 VASP原理及Linux入門基本介(jie)紹
2.1.1密度泛(fan)函理論(lun)和VASP基本(ben)原理簡介
3.1.2 Xshell遠程登(deng)陸服務(wu)器(qi)的操作(zuo)技術
4.1.3 Linux下常用(yong)命令(ling)(包含bash編程基礎)
5.1.4 Linux下常用編譯器(qi)安裝(zhuang)方法
6.2 Linux常用命令與(yu)VASP輸入出輸出文件介(jie)紹
7.2.1 Linux常(chang)用(yong)命令(文(wen)本查找(zhao),批量提交任(ren)務,grep/sed/awk等)
8.2.2 VASP輸(shu)入輸(shu)出文件介紹(shao)(INCAR,KP0INTS,P0SCAR,P0TCAR,0UTCAR等)
9.2.3與VASP相(xiang)關搭(da)配常(chang)用輔助軟件介紹
10.3 VASP編譯安裝及結構建模(mo)介紹
11.3.1 VASP編譯安裝(vaspkit安裝,qvasp安裝及其它常用工具)
12.3.2利用(yong)Materials Studio軟件或者數據(ju)庫建立乙醇(chun)分(fen)子模型和Si模型
13.3.3界面(mian)模型搭建技巧(qiao):晶(jing)格(ge)匹配
14.3.4通用手繪計算(suan)模型技巧(專題)
二(er)、VASP相關參數置技巧及(ji)參數收斂性測試(升階篇)
1.4 VASP輸入(ru)參數設置技(ji)巧(qiao)
2.4.1 INCAR參(can)數的(de)設(she)置 (ISPIN, ENCUT, ISIF, EDIFF, EDIFFG, HSE06, LDA+U等)
3.4.2 K點(dian)的設(she)置方案(an)(Mesh, Line-Mode以及Rec直(zhi)接標注權重(zhong))
4.4.3贗勢的選擇及(ji)生成方法
5.5 VASP結(jie)構(gou)優化
6.5.1晶體結構的(de)優化設置(zhi):實例解析(xi)VASP的(de)參數設置(zhi)
7.5.2設置參數的簡易方(fang)法(fa),以及歸類(lei)、總結(jie)和技(ji)巧(qiao)
8.5.3自(zi)洽(qia)(qia)、非自(zi)洽(qia)(qia)、電荷密(mi)度(du)文件、波函數文件、總能的相關解釋及用(yong)途。
9.6 VASP收(shou)斂性測試
10.6.1測試腳本的編寫及介紹 (測試的目的,意(yi)義)
11.6.2截斷能收斂性測試(shi)
12.6.3 K點(dian)收(shou)斂性測試
13.6.4其他收斂性測試(shi)(表面(mian)層數,sigma等)
三、電子結構、彈性模量、聲子譜、分子動力學
(實戰篇:材料計算專題)
VASP材料理化性質(zhi)計算及(ji)結果分析
1.7.1 VASP能帶結構與態密度計算(suan)
2.7.1.1能帶(dai)基(ji)礎知識介紹
3.7.1.2 Si能帶計算(PBE和(he)HSE)與分析
4.7.1.3 Si態密度計(ji)算與分(fen)析
5.7.1.4電子有效質(zhi)量(liang)計(ji)算(suan)
6.7.2 VASP彈性常數計算(suan)
7.7.2.1彈(dan)性常數(shu)基礎(chu)知識介紹
8.7.2.2 Si彈性常(chang)數計算與分析(xi)
9.7.3分子動力學(MD)模擬簡介
H20分子動力(li)學模擬
10.7.4 VASP光學性質計算
Si的光學性質計算與(yu)分析(PBE與(yu)HSE)
11.7.5 VASP聲子譜計算
Si的(de)光學性質(zhi)計算與分析(PBE與HSE)
12.7.6特殊體(ti)(ti)系體(ti)(ti)系的(de)設置方案
13.7.6.1 HSE06雜化泛函的設置方法
14.7.6.2強關聯體系的(de)設置方(fang)法(LDA+U)
15.7.6.3范德(de)華(hua)力參數的設置
16.7.7 VASP對缺陷、摻(chan)雜體系(xi)的處理
17.7.7.1位(wei)錯形成能(neng)的計算
18.7.7.2雜(za)質能級的引入
實例解析:
四、吸附、過渡態(tai)以(yi)及電荷分析(實戰篇:催化反應專題(ti))
1.課程8 VASP表面催化(hua)反應計算(suan)及結果分析
2.8.1固(gu)體表面具有催化(hua)活(huo)性的本(ben)質(zhi)原因解析
3.8.2基元反(fan)應(ying)和復雜反(fan)應(ying)在固體表面催(cui)化反(fan)應(ying)研究(jiu)中的關系
4.8.3 VASP表面吸附
C0吸附(fu)在Pt表面計算(吸附(fu)能(neng)模型和吸附(fu)能(neng))
5.8.4 VASP電(dian)荷分析
6.8.4.1電(dian)荷拆分;
7.8.4.2Bader電荷計(ji)算與結(jie)果處理(li);
8.8.4.3ELF計算與結(jie)果(guo)處理
9.8.5 VASP過渡態搜索
8.5.1插點和過渡態搜索
8.5.2頻率分析及零點能矯正方案
8.5.3消虛頻(pin)的方法