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課程目錄:.vasp培訓
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課程大綱:

     .vasp培訓

 

 

 

一、VASP基(ji)本原理及計(ji)算準備(基(ji)礎篇)

1.1 VASP原理及Linux入門基本介(jie)紹

2.1.1密度泛(fan)函理論(lun)和VASP基本(ben)原理簡介

3.1.2 Xshell遠程登(deng)陸服務(wu)器(qi)的操作(zuo)技術

4.1.3 Linux下常用(yong)命令(ling)(包含bash編程基礎)

5.1.4 Linux下常用編譯器(qi)安裝(zhuang)方法

6.2 Linux常用命令與(yu)VASP輸入出輸出文件介(jie)紹

7.2.1 Linux常(chang)用(yong)命令(文(wen)本查找(zhao),批量提交任(ren)務,grep/sed/awk等)

8.2.2 VASP輸(shu)入輸(shu)出文件介紹(shao)(INCAR,KP0INTS,P0SCAR,P0TCAR,0UTCAR等)

9.2.3與VASP相(xiang)關搭(da)配常(chang)用輔助軟件介紹

10.3 VASP編譯安裝及結構建模(mo)介紹

11.3.1 VASP編譯安裝(vaspkit安裝,qvasp安裝及其它常用工具)

12.3.2利用(yong)Materials Studio軟件或者數據(ju)庫建立乙醇(chun)分(fen)子模型和Si模型

13.3.3界面(mian)模型搭建技巧(qiao):晶(jing)格(ge)匹配

14.3.4通用手繪計算(suan)模型技巧(專題)

二(er)、VASP相關參數置技巧及(ji)參數收斂性測試(升階篇)

1.4 VASP輸入(ru)參數設置技(ji)巧(qiao)

2.4.1 INCAR參(can)數的(de)設(she)置 (ISPIN, ENCUT, ISIF, EDIFF, EDIFFG, HSE06, LDA+U等)

3.4.2 K點(dian)的設(she)置方案(an)(Mesh, Line-Mode以及Rec直(zhi)接標注權重(zhong))

4.4.3贗勢的選擇及(ji)生成方法

5.5 VASP結(jie)構(gou)優化

6.5.1晶體結構的(de)優化設置(zhi):實例解析(xi)VASP的(de)參數設置(zhi)

7.5.2設置參數的簡易方(fang)法(fa),以及歸類(lei)、總結(jie)和技(ji)巧(qiao)

8.5.3自(zi)洽(qia)(qia)、非自(zi)洽(qia)(qia)、電荷密(mi)度(du)文件、波函數文件、總能的相關解釋及用(yong)途。

9.6 VASP收(shou)斂性測試

10.6.1測試腳本的編寫及介紹 (測試的目的,意(yi)義)

11.6.2截斷能收斂性測試(shi)

12.6.3 K點(dian)收(shou)斂性測試

13.6.4其他收斂性測試(shi)(表面(mian)層數,sigma等)

三、電子結構、彈性模量、聲子譜、分子動力學
(實戰篇:材料計算專題)

VASP材料理化性質(zhi)計算及(ji)結果分析

1.7.1 VASP能帶結構與態密度計算(suan)

2.7.1.1能帶(dai)基(ji)礎知識介紹

3.7.1.2 Si能帶計算(PBE和(he)HSE)與分析

4.7.1.3 Si態密度計(ji)算與分(fen)析

5.7.1.4電子有效質(zhi)量(liang)計(ji)算(suan)

6.7.2 VASP彈性常數計算(suan)

7.7.2.1彈(dan)性常數(shu)基礎(chu)知識介紹

8.7.2.2 Si彈性常(chang)數計算與分析(xi)

9.7.3分子動力學(MD)模擬簡介
H20分子動力(li)學模擬

10.7.4 VASP光學性質計算
Si的光學性質計算與(yu)分析(PBE與(yu)HSE)

11.7.5 VASP聲子譜計算
Si的(de)光學性質(zhi)計算與分析(PBE與HSE)

12.7.6特殊體(ti)(ti)系體(ti)(ti)系的(de)設置方案

13.7.6.1 HSE06雜化泛函的設置方法

14.7.6.2強關聯體系的(de)設置方(fang)法(LDA+U)

15.7.6.3范德(de)華(hua)力參數的設置

16.7.7 VASP對缺陷、摻(chan)雜體系(xi)的處理

17.7.7.1位(wei)錯形成能(neng)的計算

18.7.7.2雜(za)質能級的引入

實例解析:

四、吸附、過渡態(tai)以(yi)及電荷分析(實戰篇:催化反應專題(ti))

1.課程8 VASP表面催化(hua)反應計算(suan)及結果分析

2.8.1固(gu)體表面具有催化(hua)活(huo)性的本(ben)質(zhi)原因解析

3.8.2基元反(fan)應(ying)和復雜反(fan)應(ying)在固體表面催(cui)化反(fan)應(ying)研究(jiu)中的關系

4.8.3 VASP表面吸附
C0吸附(fu)在Pt表面計算(吸附(fu)能(neng)模型和吸附(fu)能(neng))

5.8.4 VASP電(dian)荷分析

6.8.4.1電(dian)荷拆分;

7.8.4.2Bader電荷計(ji)算與結(jie)果處理(li);

8.8.4.3ELF計算與結(jie)果(guo)處理

9.8.5 VASP過渡態搜索
8.5.1插點和過渡態搜索
8.5.2頻率分析及零點能矯正方案
8.5.3消虛頻(pin)的方法